Name: Diodes Incorporated DMN3012LEG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3012LEG-7
Price: 0.8708 USD
Availability: OutOfStock

Diodes Incorporated DMN3012LEG-7

Artikelnummer:

DMN3012LEG-7

Hersteller / Marke:

Diodes Incorporated

Teil der Beschreibung.:

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

Datenblätte:

1.DMN3012LEG-7.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf Mult Changes 11/May/2023.pdf DMN3012LEG.pdf

RoHs Status:

ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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~~Diodes Incorporated DMN3012LEG-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments DMN3012LEG-7.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerDI3333-8 (Type D)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Leistung - max	2.2W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerLDFN
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Ta), 20A (Tc)
Konfiguration	2 N-Channel (Half Bridge)
Grundproduktnummer	DMN3012

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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